（宝安新馆）· 3号馆·封测剧院召开。届时，爱发科市场战略中心负责人王禹将受邀出席论坛，并将带来《碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展》主题演讲。

　　面向未来智能社会所需的电力电子自动驾驶等领域，近年来第三代功率半导体材料（SiC，GaN等）具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，已经成为最有潜能的新一代材料。随着化合物半导体器件的日益普及和广泛应用，化合物半导体封装和模块将向着低损耗、低感量、高功率密度、高散热性能、高集成度、多功能等方向发展，未来将衍生出与硅基封装技术和产品形式不同的发展路线，先进封装材料、可靠性技术都在不断的发展提升。

　　爱发科拥有SiC功率器件综合量产解决方案，届时爱发科市场战略中心负责人王禹将在《碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展》主题演讲中分享最新解决方案及研究进展。

　　王禹，爱发科市场战略中心负责人，超过10年以上的上市公司高管经验，主要负责未来市场及技术战略企划工作，同时兼任负责爱发科设备营业工作。主要研究工作在第三代半导体SiC、GaN功率器件、MEMS光学器件、先进封装、Micro Display等领域，有着丰富的理论基础和市场实践经验。

　　株式会社ULVAC(ULVAC,Inc.)是以在各领域获得广泛应用的真空技术为基础，以开创精细加工工艺为追求目标的研究开发型综合企业。2000年投资成立了爱发科真空技术(上海)有限公司，为ULVAC集团的设备在中国的安装调试、维护保养、零部件销售等提供售后服务。2006年在爱发科真空技术(上海)有限公司的基础上，整合ULVAC集团在中国的销售网络，成立了爱发科商贸(上海)有限公司。

　　爱发科商贸（上海）有限公司，是一流的真空薄膜综合解决方案提供商。作为爱发科集团的全资子公司，成立于2006年7月，在中国大陆形成设备销售及售后服务的网络体系，不断优化爱发科在全国的客户服务据点分布，目前共设有13个服务网点，持续为客户提供完善的一体化服务。拥有面向平板显示 (TFT-LCD、AM-OLED、Micro-LED）、锂电池(EWE、EWG、 EWK）、集成电路Logic、Memory）、电子元器件IGBT、SiC功率器件、压电MEMS、SAW/BAW等）、触摸屏、真空治金、真空包装、研究开发等领域的设备及各种靶材的销售，以及设备安装调试、定期保养、维护维修、零部件销售、设备改造、零部件清洗等国内外集团公司产品销售及售后服务。

　　欲知最新研究进展与成果，敬请关注论坛，也欢迎相关领域专家、学者、行业企事业单位参会交流，共商合作事宜。

　　原文标题：CASICON深圳前瞻 爱发科王禹:碳化硅功率器件制造工艺设备技术进展

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　　的开关性能比较 /

　　龙8long8中国

　　（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大

　　能够承受更高的开关频率。这有助于减小无源元件的尺寸，提高系统的整体效率。低损耗：

　　，已经广泛应用于能源转换、电机控制、电网保护等多个领域。本文将详细介绍

　　有哪些优劣势？ /

　　的产品定位 /

　　(SiC)作为一个新兴的宽带隙半导体材料，已经吸引了大量的研究关注。其优越的电气性能、高温稳定性和高频响应使其在

　　揭秘 /

　　MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个

　　的基本原理、特点和优势 /

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