上海积塔半导体有限公司研发新专利，采用飞秒激光与热氧化技术制造碳化硅(SiC)半导体装置，旨在提高其电气特性和功率阈值，以克服传统平面型存在的输出直流电阻大及沟道迁移率退化问题。

　　天眼查显示，上海积塔半导体有限公司“用于制造半导体装置的方法以及半导体装置”专利公布，申请公布日为2024年7月19日，申请公布号为CN118366850A。

　　与硅(Si)相比，龙8long8国际作为第三代半导体材料代表的碳化硅(SiC)具有带宽度、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速率和强抗辐照性等更优越的电气特性。凭借SiC的电气特性，能够开发出更适用于高压、高温、高频、强辐射等应用领域的半导体装置，其中，SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field-EffectTransistor，MOSFET)更是倍受关注。

　　常用在高压低功耗场景下的SiC MOSFET分为沟槽型SiC MOSFET和平面型SiCMOSFET。垂直结构的平面型SiC MOSFET由于存在结型场效应晶体管(Junction Field-Effect Transistor，JFET)区，使得半导体装置的输出直流电阻较大，限制了半导体装置的功率阈值。此外，平面型SiC MOSFET有着因沟道离子注入导致的沟道迁移率退化问题。相比于传统的平面型SiC MOSFET，沟槽型SiC MOSFET没有JFET区，可以避免寄生JFET效应(例如JFET区产生的额外电阻)，能够实现提高的晶圆密度，同时还具有更高的阻断电压、更好的开关特性和更低的导通损耗等改善的电学性能。

　　本公开涉及用于制造半导体装置的方法以及半导体装置。一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括：提供半导体基底，在半导体基底中形成有沟槽；用飞秒激光束照射半导体基底的与沟槽的第一部分邻接的第二部分，使得半导体基底的第二部分发生非热熔化；以及在完成飞秒激光束的照射之后，对半导体基底进行热氧化处理，使得半导体基底的第二部分形成氧化层。

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